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深圳市义熙科技有限公司
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原装DIODES品牌2N7002W-7-F - 晶体管, MOSFET
晶体管极性：
N沟道
电流, Id 连续：
115mA
漏源电压, Vds：
60V
在电阻RDS（上）：
13.5ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
2V
功耗 Pd：
200mW
封装类型：
SOT-323
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
2N7002W-7-F是N沟道增强型FET，采用模制塑料外壳，符合MIL-STD-202标准，可在42合金引脚端子上进行可焊接雾锡退火。
低导通电阻
低门限电压
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
无卤素，绿色装置
符合AEC-Q101高可靠性标准
根据J-STD-020，湿度灵敏度等级为1
UL94V-0易燃性等级
应用：电源管理，国防，军用与航空，车用
义熙科技，海外国内专供IC 现货、稀缺物料优势供应！！