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深圳市义熙科技有限公司
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产品信息
描述 2N7002CK是使用沟槽MOSFET技术在小型表面贴装塑料封装中设计的N沟道增强型MOSEFT。适用于继电器驱动器，
高速线路驱动器，低负载开关和开关电路。
特性
3KV的ESD保护级别
逻辑电平兼容
沟槽MOSEFT技术
极快的切换速度
复合AEC-Q101标准
参数和功能
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
300mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
1.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
55pF @ 25V
Vgs（值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（值）
350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度
150°C（TJ）
应用
继电器驱动
高速线驱动
低端负载开关
开关电路