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深圳市义熙科技有限公司
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原装MULTICOMP品牌2N7002-7-F-场效应管
晶体管极性：
N沟道
电流, Id 连续：
115mA
漏源电压, Vds：
60V
在电阻RDS（上）：
1.2ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
2.1V
功耗 Pd：
200mW
封装类型：
SOT-23
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。