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深圳市义熙科技有限公司
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原装DIODES品牌BSS123-7-F - 晶体管, MOSFET
晶体管极性：
N沟道
电流, Id 连续：
170mA
漏源电压, Vds：
100V
在电阻RDS（上）：
6ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
1.4V
功耗 Pd：
300mW
封装类型：
SOT-23
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
BSS123-7-F是N沟道增强型MOSFET，采用专有二极管，密度高，采用先进的沟道技术。 亚光锡整理退火合金42引线框架终端和UL94V-0火焰模制塑料外壳。 旨在限度地降低通态电阻，同时提供坚固，可靠和快速的开关性能。 适用于低电压和电流应用。
低门限电压
低输入电容
快速切换速度
AEC-Q101合格
低输入/输出泄漏
高漏极电压额定值
每J-STD-020湿度敏感度为1级
绿色产品
应用：电源管理，电机驱动与控制