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原装MULTICOMP品牌BSS84-7-F - 场效应管, MOSFET
晶体管极性：
P沟道
电流, Id 连续：
-130mA
漏源电压, Vds：
-50V
在电阻RDS（上）：
1.2ohm
电压 @ Rds测量：
-5V
阈值电压 Vgs：
-1.7V
功耗 Pd：
360mW
封装类型：
SOT-23
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C
产品信息
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS
场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。