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深圳市义熙科技有限公司
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原装DIODES品牌BSS138-7-F - 晶体管, MOSFET, N沟道
晶体管极性：
N沟道
电流, Id 连续：
200mA
漏源电压, Vds：
50V
在电阻RDS（上）：
1.4ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
1.2V
功耗 Pd：
300mW
封装类型：
SOT-23
针脚数：
3引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
BSS138-7-F是一款50V N沟道增强型MOSFET，带哑光镀锡端子。 端子可按照MIL-STD-202方法208进行焊接。外壳由模制塑料（UL94V-0）制成。 MOSFET具有低栅极阈值电压，快速开关速度和低输入电容。
低导通电阻
低输入/输出泄漏
卤素和无锑
绿色的设备
符合AEC-Q101标准的高可靠性
应用：电机驱动与控制，电源管理，国防，军用与航空
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。