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深圳市义熙科技有限公司
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原装ON品牌FDC610PZ - 晶体管, P沟道
晶体管极性：
P沟道
电流, Id 连续：
4.9mA
漏源电压, Vds：
-30V
在电阻RDS（上）：
0.036ohm
电压 @ Rds测量：
10V
阈值电压 Vgs：
2.2V
功耗 Pd：
1.6W
封装类型：
SuperSOT
针脚数：
6引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
P沟MOS晶体管改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管--晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。