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深圳市义熙科技有限公司
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原装ON品牌FDT434P - 晶体管, MOSFET, P沟道
晶体管极性：
P沟道
电流, Id 连续：
6A
漏源电压, Vds：
-20V
在电阻RDS（上）：
0.04ohm
电压 @ Rds测量：
-4.5V
阈值电压 Vgs：
-600mV
功耗 Pd：
3W
封装类型：
SOT-223
针脚数：
4引脚
工作温度值：
150°C
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产品信息
FDT434P是一款-20V P沟道2.5V专门设计的PowerTrench®MOSFET专门用于限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。飞兆半导体的中压功率MOSFET是结合了小栅极电荷（QG），小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管的优化电源开关，为AC / DC电源中的同步整流提供了快速切换。它采用屏蔽门结构，提供电荷平衡。通过利用这种先进技术，这些器件的FOM（品质因数（QGxRDS（ON）））比上一代低66％。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代额定电压更高的MOSFET - MOSFET所需电路，因为它可以将同步整流中不希望的电压尖峰降至。该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。
100％雪崩测试
在同步整流中实现高效率
应用：电源管理，替代能源，电机驱动与控制